原子層沉積（ALD）
原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)是一種基于自限制表面化學反應的先進薄膜沉積技術(shù)，可在原子尺度實現(xiàn)厚度精確可控、均勻性優(yōu)異的三維保形薄膜。特別適用于鋰電池、半導體、光伏等領域的高性能納米涂層制備。
產(chǎn)品原理
ALD通過交替脈沖前驅(qū)體氣體(如金屬有機化合物/H,0/0:等)，每個前驅(qū)體與基底表面發(fā)生自限制化學反應，單次循環(huán)僅生長單原子層(~0.1nm/cycle)，實現(xiàn)亞納米級厚度控制。
產(chǎn)品優(yōu)勢
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高覆蓋率100%階梯覆蓋率（高深寬比結(jié)構(gòu)） -
效果顯著膜厚與循環(huán)次數(shù)線性相關(guān)。 -
低溫工藝低溫工藝兼容（350℃） -
特種功能可沉積Al?O?、LiPON、TiO?、HfO?、ZnO等功能材料。
適用領域
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電子 / 半導體行業(yè)高 k 氧化物 (HfO?、Al?O?)、金屬氮化物 (TiN、TaN)、貴金屬 (Ru、Ir) -
新能源行業(yè)金屬氧化物 (Al?O?、TiO?、ZrO?)、含鋰化合物 (Li?PO?、LiAlO?)、氟化物 (AlF?) -
新材料行業(yè)氟化物：AlF?、LiAlF?(電池保護) 硫化物：MoS?、WS?(二維材料、催化) 碳基：類金剛石碳 (DLC)、石墨烯復合膜
適用材料
粉體材料